تحقیق تستر حافظه FLASH و EEPROM و SRAM با استفاده از میکرو کنترلر AVR

حافظه هاي ATMagUlb, AVR

اين بخش تفاوت ميان حافظه هاي دو، ATmegulb را توصیف
مي كند در ساختار AVR  دو فضاي حافظه اي، فضاي حافظه اي برنامه توليست وفضاي حافظه اي اوليه وجود دارد در مجموع ATMega16  يكEEPROM براي نگهداري اطلاعات حافظه اي دارد همه فضاهاي اين حافظه به صورت خطي ومنظم
مي باشد.

سيستم REprogrammabl  حافظه فلش در برنامه نويسي حافظه

ATMega16  شامل 16 كيلو بايت تك تراشه اي در سيستم وقابليت برنامه ريزي مجدد حافظه فلش براي نگه داري برنامه است در زماني كه طول بايت حافظه هاي avr16 يا32 بيت بوده حافظه فلش دار براي avr    16*k₅ شناخته شده است براي جلوگيري از اسيب نرم افزار حافظه فلش به دو بخش تقسيم مي كنيم بخش راه اندازي وبخش برنامه نويس.

حافظه فلش قابليت10000 يا نوشتن وپاك كردن مي باشد پروگرم كانتر ATM mega16  داراي طول 13 بيت مي باشد كه قابليت آدرس دهي 8 كيلو بايت را دارد كار قسمت راه اندازي برنامه قفل وراه اندازي برايحالت نرم افزار در اجر ا وحمايت از بار گذاري در هنگام راه اندازي (نوشتاري- خواندني) است كه در فصل بعد بعد به آن اشاره شده است.كه شامل توصيف اجزاي سري اطلاعات فلش كه در پينهايspi ودر ارتباط با JTAK مي باشد.

مقادير ثابت مي توانند در آدرس هاي حافظه برنامه قرار گيرند MP كه در شكل زير نشان داده شده است.

نمودار زماني براي ساختار وخروجي ها در نمودار خروجي وزماني موجود شده است.

حافظه داده  SRAM :

شكل زیر نشان مي دهد كه SRAM  و ATMEGA  چگونه برنامه نويس مي شود خانه ها حافظه پايين  نمايش مي دهد كه فايلها در حافظه SRAM داخلي وحافظهI/o ثبت شده است. اولين برنامه در آدرس 96 آدرس دهي مي كند.

پنج روش آدرس دهي براي پوشش ديتاي حافظه وجود دارد:

1. جهت، 2. خلاف جهت وتغيير موقعيت ،3. خلاف جهت، 4. خلاف جهت با

PRO-decrement ، 5. خلاف جهت با POST- Increment.

در فايلهاي رجيستري، رجيسترهاي_­ R₃ ,  R₂₆  به صورت غير مستقيم آدرس دهي مي شود وبه صورت مستقيم در دنياي مخصوص ذخيره مي شود.

در حال خلاف جهت: تغيير مكان باعث مي شود كه63 خط آدرس با استفاده از رجيسترهاي Z,Y آدرش دهي مي شود.

زمانيكه از رجيسترهاي در آدرس دهي مستقيم در حالت كاهش آدرس دهي يا افزايش آدرس دهي مي باشدازآدرس دهي رجيستر Z<Y<X براي كاهش وافزايش استفاده مي كنيم.

32رجيستر از 64 رجيستر به عنوان I/0 عمل مي كنند ويك كيلو بايت دنياي داخلي SRAM درATMEGA16 براي آدرس دهي در همه حالتها قابل استفاده است. رجيستر فايلها در فايلهاي همه سطوره در پايين توصيف مي شود.

زمان پذيرش ديتاي حافظه:

اين زمان پذيرش حافظه داخلي را توصيف مي كند SRAM با ديتناي داخلي با دو clookcpu  كه دراين قسمت همانطوري كه در شكل زير نشان داده شده ديتاي آن اطلاعات را مي پذيرد.

ديتاي حافظه ايEEPROM:

ATMEGA16,516  بايت حافظه EEPROM دارد وبه صورت جداگانه سازماندهي مي شود وهر بايت آنرا مي توانيم بنويسيم وپاك كنيم از EEPROM مي توان 100000 با ربرنامه نوشته وپاك كردعملكرد EEPROM در پايين توضيح داده شده است.

عملكرد نوشتن وخواندن در EEPROM:

همكارEEPROM وجيسترهايI/O قابل دسترس است درزمان الصبل كردن EEPROM در نمودار يك آمده است يك تابع به كاربرد اجازه مي دهدكه بهصورت خودكار زمانيكه بايت بعدي بنويسيد اجازه مي دهد اگر كد كادر شامل نوشتن EEPROM باشد بعضي اقدامات لازم است در فيلتر كردن سنگينpower supply وv_cc­  بالا وبراي پايين برد power باز مي گذاشته مي شود. براي جلويري از نوشتن در حافظه wreter, EEPROM  مخصوص بايستي فعال شودوبراي نوشتن در جزئيات در رجيسترهاي EEPROM كه كنترل كننده EEPROM مراجعه كندزماني كهEEPROM قبل از فعال شدن خروجي cpu بايستي به مدت چهار كلاك غير فعال باشد.

وقتي در EEPROM اطلاعات نوشته مي شود قبل از فعال شدن خروجي cpu به مدت دو كلاك صبر مي كند.

آدرس دهي EEPROM ورجيسترEEARH, EEARL: